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SR BFS540 中高频微波管

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有效期至: 长期有效
最后更新: 2017-11-05 11:46
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“SR BFS540 中高频微波管”参数说明

结构形式: NPN

“SR BFS540 中高频微波管”详细介绍

  类别:NPN-硅通用高频低噪声宽带NPN晶体管
  集电极-发射极电压VCEO:15V
  集电极-基极电压VCBO:20V
  发射极-基极电压VEBO:2.5V
  集电极直流电流IC:120mA
  总耗散功率(TA=25℃)Ptot:500mW
  工作结温Tj:150℃
  贮存温度Tstg:-65~150℃
  封装形式:SOT-323或者SOT-23
  功率特性:中功率
  极性:NPN型
  结构:扩散型
  材料:硅(Si)
  封装材料:塑料封装
  电性能参数(TA=25℃):
  击穿电压:V(BR)CEO=15V,V(BR)CBO=20V,V(BR)EBO=2.5V
  直流放大系数hFE:60~250@VCE=8V,IC=40mA
  集电极-基极截止电流ICBO:100nA(最大值)
  发射极-基极截止电流IEBO:100nA(最大值)
  特征频率fT:9.0GHz@VCE=8V,IC=40mA
  集电极允许电流IC:0.12(A)
  集电极最大允许耗散功率PT:0.5(W)
  噪声系数NF:1.3dB@IC=40mA,VCE=8V,f=1GHz
  功率增益GUM:14dB@IC=40mA,VCE=8V,f=1GHz
  反馈电容Cre:0.65 pF@IC=ic=0,VCB=6V,f=1MHz.
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