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英飞凌推出创新型封装技术

发布日期：2014-09-17 浏览次数：72

　　德国英飞凌科技股份公司近日推出一种创新型封装技术，将为纯电动汽车和混合动力汽车等要求苛刻的汽车电子应用带来更大的电流承受能力和更高效率。新推出的TO封装符合JEDEC标准H-PSOF（散热型塑料小外形扁平引线）。首批推出的采用H-PSOF封装技术的产品是40VOptiMOST2功率晶体管，它们的漏极电流高达300安，导通电阻低至0.76毫欧。
　　
　　性能更高的功率电子元器件，可帮助汽车系统设计人员达到更高的强制性的汽车燃油效率标准，同时满足苛刻的总体排放要求。为达到这些标准，需要采用电流承受能力超过200安、导通电阻低于1毫欧的功率MOSFET，以降低传输损耗并提高总体效率。迄今为止，汽车市场尚未推出满足这些需求的MOSFET。
　　
　　此外，相比通常用于同类汽车应用的标准D2PAK封装（TO-263）而言，H-PSOF封装的尺寸更小，高度更低。H-PSOF封装的面积比目前的D2PAK小20％左右，高度几乎是D2PAK的一半。