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“靶材硫化镓 三硫化二镓靶材 粉末 Ga2S3 化合物半导体”参数说明
| 是否有现货： | 否 | 加工定制： | 是 |
| 种类： | 化合物半导体 | 特性： | 靶材 |
| 用途： | 磁控溅射镀膜 | 型号： | 高纯 |
| 规格： | 定制 | 商标： | Cnbm |
| 包装： | 适合运输的包装 | 产量： | 2000 |
“靶材硫化镓 三硫化二镓靶材 粉末 Ga2S3 化合物半导体”详细介绍
各种靶材用于磁控溅射工艺制备铜铟镓硒(CIGS薄膜) 碲化镉(CdTe薄膜) 各种化合物溅射靶材
（联系人：冉松林，电话：13541048799，邮箱：：122686839）
一，四元合金靶材：CIGS 靶材
1，常规原子比：1：0.7：0.3：2或者 1：0.8：0.2：2（客户亦可根据自身工艺制订原子比例）
技术对接：CVD合成四元合金（高精分析天平称量，各种元素的配比公差低于百万分之一）--氮气保护下研磨制粉–HP（热压）--检验—打磨，抛光。
2，检验：ICP-MS；XRD
通过ICP-MS 检测杂质含量：5N的CIGS 靶材的杂质元素总和小于10ppm.
通过XRD衍射：CIGS 具备闪锌黄铜矿结构。（可提供检验报告（见下）和样品）。
3，靶材致密度：大于93%。
4，服务：可免费提供导电玻璃和99.999%的硒粉。硒粉用于客户最后的硒化工艺，因为磁控溅射CIGS的过程中有硒的流失。
5，安全防护措施：提供MSDS及溅射过程中的必要防护。
二，三硒化二铟（In2Se3）靶材；三硒化二镓（Ga2Se3）靶材，硒化亚铜（Cu2Se），或者硒化铜（CuSe）靶材
技术对接：CVD 合成二元合金–HP（热压）--检验—打磨，抛光。
三，铜镓（CuGa）；铜铟（CuIn）；铜镓铟（CuGaIn）靶材
*配方原子比例：客户可自选，我方亦可以提供常规原子比例。
四，铜（Cu）靶；铟（In）靶，硒（Se）靶
技术对接：浇铸
五，CIGS 配套靶材
N型：硫化镉（CDS）靶，硫化锌（ZnS）靶，硒化锌（ZnSe）靶。
氧化锌铝（AZO）靶，钼（Mo）靶
1，由于硫化镉有毒，所以硫化锌，硒化锌靶为其替代品。试验表明硒化铟也有此属性。
2，硫化镉，硫化锌，硒化锌制备工艺：CVD 高纯氩气携带金属蒸汽（镉，锌蒸汽）进入反应室与过量的H2S，H2Se 气体气相沉积而成。
六，碲化镉（CdTe）靶材；硫化镉（CdS）靶材；
高致密，高纯度
碲化物靶材：碲化铋（Bi2Te3）靶材；碲化锑（Sb2Te3）靶材；碲化锌（ZnTe）靶材；碲化铜（CuTe）靶材；碲化铅（PbTe）靶材；碲化铟（InTe）靶材；碲化镉（CdTe）靶材等
硒化物靶材：硒化铋（Bi2Se3）靶材；硒化铜（CuSe）靶材；硒化铅（PbSe）靶材等
锑化物靶材：锑化铟（InSb）靶材；锑化镉（CdSb）靶材；锑化锌（Zn4Sb3）靶材等
硫化物靶材：硫化锌（ZnS）靶材；硫化铟（In2S3）靶材；硫化镉（CdS）靶材；硫化铋（Bi2S3）靶材等
氧化物靶材：氧化锌（ZnO）靶材；氧化镓（Ga2O3）靶材；氧化铟（In2O3）靶材等
氮化物靶材：氮化铟（InN）靶材；氮化镓（GaN）靶材
