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“代理富士通MB85RC128A SOP8 铁电存储器, 原装正品,”参数说明
| 功能结构： | 模拟集成电路 | 封装： | Sop8 |
| 制作工艺： | 半导体集成电路 | 导电类型： | 双极型 |
| 外形： | 扁平型 | 集成度高低： | 中规模集成电路 |
| 应用领域： | 标准通用 | 型号： | MB85RC128A |
| 包装： | 原装卷装 | 用途： | 军工，游戏机 |
“代理富士通MB85RC128A SOP8 铁电存储器, 原装正品,”详细介绍
简介FRAM是集合了ROM和RAM两种存储器的优势。擅于进行高速写入、具有长的耐久力和低功耗。富士通半导体提供了采用串行（I2C和SPI）和并行外设的FRAM产品，目前4Kb至4Mb的产品也已量产。FRAM的优势与传统存储器相比，FRAM具有下列优势：非易失性即使没有上电，也可以保存所存储的信息。与SRAM相比，无需后备电池（环保产品）更高速度写入像SRAM一样，可覆盖写入不要求改写命令对于擦/写操作，无等待时间写入循环时间=读取循环时间写入时间：E2PROM的1/30,000具有更高的读写耐久性确保最大1012次循环（100万亿循环）/位的耐久力耐久性：超过100万次的E2PROM具有更低的功耗不要求采用充电泵电路功耗：低于1/400的E2PROM与SRAM相比独立的FRAM存储器，因为具有Pseudo-SRAMI/F，因此与SRAM之间具有的高度兼容性。利用FRAM取代SRAM，您可以获得的优势如下：1.总的成要缩减采用SRAM，你需要检测其电池状态。但是FRAM却让你免去了进行电池检测的困扰。而且FRAM不需要电池槽、防倒流二极管和更多的空间，而这些都是SRAM所需的。FRAM的单芯片解决方案可以节省空间和成本。维护自由；无需更换电池缩小的器件尺寸；可以省去大量的器件2.环保型产品（减少了环境负担）用过的电池成为工业废料。在生产过程中，与SRAM相比，FRAM能够降低一半的CO2排放量。FRAM对于环保有益。无废弃电池降低工业负荷，实现环保与E2PROM/闪存相比与传统的非易失性存储器，如E2PROM和闪存相比，FRAM具有更快的写入、更高耐久力和更低功耗等优势。用FRAM取代E2PROM和闪存还具有更多优势，具体如下：1.性能提升FRAM的高速写入能够在电源中断的瞬间备份数据。不仅如此，与E2PROM和闪存相比，FRAM能够更频繁的记录数据。当写入数据时，E2PROM和闪存需要高压，因此，消费的功率比FRAM更多。如果嵌入FRAM，那么电池供电器件中的电池的寿命将更长。总之，FRAM具有下列优势：能够在电源中断的瞬间备份数据能够进行频繁的数据记录能够保证更长的电池寿命2.总的成本缩减在为每个产品写入出厂参数时，与E2PROM和闪存相比，FRAM可以缩减写入时间。而且，FRAM可以为您提供一种芯片解决方案，避免采用几个存储器来保存数据，而E2PROM却不能实现。因此，利用FRAM可以降低总成本！A.当写入出厂参数时，缩短了写入时间B.减掉了产品上很多的部件产品型号存储器密度电源电压工作频率（最大值）工作温度读取/写入周期保证数据保存期限封装MB85RC1MT1Mbit1.8~3.6V3.4MHz-40~+85℃1013次(10万亿次)10年(+85℃)SOP-8MB85RC512T512Kbit1.8~3.6V3.4MHz-40~+85℃1013次(10万亿次)10年(+85℃)SOP-8MB85RC256V256Kbit2.7~5.5V1MHz-40~+85℃1012次(1万亿次)10年(+70℃)SOP-8MB85RC128A128Kbit2.7~3.6V400KHz-40~+85℃1012次(1万亿次)10年(+85℃)SOP-8MB85RC6464Kbit2.7~3.6V400KHz-40~+85℃1012次(1万亿次)10年(+85℃)SOP-8MB85RC64V64Kbit3.0~5.5V400KHz-40~+85℃1012次(1万亿次)10年(+85℃)SOP-8MB85RC1616Kbit2.7~3.6V1MHz-40~+85℃1012次(1万亿次)10年(+85℃)SOP-8SON-8MB85RC16V16Kbit3.0~5.5V1MHz-40~+85℃1012次(1万亿次)10年(+85℃)SOP-8MB85RC04V4Kbit3.0~5.5V1MHz-40~+85℃1012次(1万亿次)10年(+85℃)SOP-8
